RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
54
Intorno -135% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
23
Velocità di lettura, GB/s
9.2
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3025
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link