RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
63
Intorno -163% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
24
Velocità di lettura, GB/s
8.1
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
2517
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link