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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
63
Intorno -110% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
30
Velocità di lettura, GB/s
8.1
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
2460
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
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Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB Confronto tra le RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
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