RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
104
Intorno -352% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
23
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3025
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link