RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
71
104
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
71
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
1757
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link