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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
69
Intorno -165% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
26
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
2257
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Kingston 9905702-121.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
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