RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
69
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
46
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
2453
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link