RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Confronto
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
55
Intorno 16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
12.4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
55
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.4
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2660
2701
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston KHX16 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link