RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
38
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
29
Velocità di lettura, GB/s
15.5
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3401
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link