RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
38
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
23
Velocità di lettura, GB/s
15.5
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3356
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Mushkin 991586 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link