RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
48
Intorno -140% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.1
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
20
Velocità di lettura, GB/s
8.9
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
17.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3703
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Elpida EBJ41UF8EDU0-DJ-F 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link