RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
81
Intorno 49% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
13.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
81
Velocità di lettura, GB/s
13.3
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2016
1634
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link