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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
41
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
11.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
28
Velocità di lettura, GB/s
11.1
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1348
3485
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
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