RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
75
Intorno 43% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
75
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
7.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1706
1763
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link