RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
59
Intorno -90% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
2,076.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
31
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
2307
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link