RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
60
74
Intorno 19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
2,381.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
74
Velocità di lettura, GB/s
5,082.2
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,381.6
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
925
1779
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link