RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
87
Intorno -235% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
26
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3832
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link