RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
バグを報告する
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB 考慮すべき理由
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 94
    周辺 -213% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.4 left arrow 1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.1 left arrow 1,165.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 6400
    周辺 3.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    94 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    1,882.0 left arrow 16.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,165.4 left arrow 13.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    305 left arrow 3310

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB

Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
メモリRAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
メモリRAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
メモリRAM