RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
比較する
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
総合得点
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
総合得点
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
86
周辺 70% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14
13.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.1
6.3
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
86
読み出し速度、GB/s
14.0
13.5
書き込み速度、GB/秒
9.1
6.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2330
1469
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB RAMの比較
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB RAMの比較
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
バグを報告する
×
Bug description
Source link