RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    40 left arrow 56
    周辺 -40% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.0 left arrow 1,925.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    56 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    4,315.2 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,925.7 left arrow 14.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    658 left arrow 2965

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAMの比較

ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB

G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
メモリRAM
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
メモリRAM