RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 15.5
    テスト平均値
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 52
    周辺 -68% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 1,145.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 4200
    周辺 4.57 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    2,614.5 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,145.9 left arrow 12.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    4200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    409 left arrow 2819

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAMの比較

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
メモリRAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
INTENSO 5641160 8GB
INTENSO 5641160 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
メモリRAM