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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
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AMD AE34G1601U1 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
総合得点
AMD AE34G1601U1 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
AMD AE34G1601U1 4GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
67
周辺 -123% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.2
6.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.3
3.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
67
30
読み出し速度、GB/s
6.8
17.2
書き込み速度、GB/秒
3.6
13.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
998
3208
AMD AE34G1601U1 4GB RAMの比較
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
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