RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

総合得点
star star star star star
AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD R5S38G1601U2S 8GB 考慮すべき理由
AMD R5S38G1601U2S 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 14.6
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 37
    周辺 -48% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.9 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    15.4 left arrow 14.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.2 left arrow 9.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2581 left arrow 2427

AMD R5S38G1601U2S 8GB RAMの比較

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB RAMの比較

Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
メモリRAM