RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

総合得点
star star star star star
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

総合得点
star star star star star
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB 考慮すべき理由
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
バグを報告する
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB 考慮すべき理由
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    14 left arrow 26
    周辺 -86% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    26.4 left arrow 12.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    19.8 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 14
  • 読み出し速度、GB/s
    12.6 left arrow 26.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 19.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2174 left arrow 4362

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAMの比較

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB RAMの比較

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
メモリRAM