RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
比較する
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
総合得点
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
48
周辺 25% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.8
12.3
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
14.6
8.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
48
読み出し速度、GB/s
14.8
12.3
書き込み速度、GB/秒
8.7
14.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2481
3061
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAMの比較
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
バグを報告する
×
Bug description
Source link