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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
総合得点
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
32
周辺 9% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
24
10.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
20.0
8.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
32
読み出し速度、GB/s
24.0
10.8
書き込み速度、GB/秒
20.0
8.5
メモリ帯域幅、mbps
17000
19200
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
4156
2349
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
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