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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 28
    周辺 4% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25% 高帯域
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18 left arrow 16.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.2 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 18.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 15.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 3660

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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
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メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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