Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB

総合得点

G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB

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G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 30

周辺 -11% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17.7 11.4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

17.2 7.9

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 12800

周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

30 27
読み出し速度、GB/s

11.4 17.7
書き込み速度、GB/秒

7.9 17.2
メモリ帯域幅、mbps

12800 21300

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1762 3837

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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