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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB

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Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 16.6
    テスト平均値
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB 考慮すべき理由
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 90
    周辺 -210% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.2 left arrow 1,140.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    90 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    2,699.0 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,140.4 left arrow 15.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    436 left arrow 3629

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