RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 9965662-016.A00G 16GB 考慮すべき理由
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 6.9
    テスト平均値
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 39
    周辺 -70% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.7 left arrow 7.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
    周辺 1.13 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    7.9 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 6.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1939 left arrow 2231

Kingston 9965662-016.A00G 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB RAMの比較

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
メモリRAM