Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

総合得点

Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB

総合得点

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB

考慮すべき理由
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB

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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

考慮すべき理由
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

33 36

周辺 -9% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16.1 14.7

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.0 11.3

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 21300

周辺 1.2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

36 33
読み出し速度、GB/s

14.7 16.1
書き込み速度、GB/秒

11.3 13.0
メモリ帯域幅、mbps

21300 25600

Other

商品説明

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2554 2987

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

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