RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Mushkin 991586 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB

Mushkin 991586 2GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB

総合得点
star star star star star
Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

総合得点
star star star star star
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB

Team Group Inc. DDR4 2666 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Mushkin 991586 2GB 考慮すべき理由
Mushkin 991586 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 28
    周辺 7% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 13
    テスト平均値
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.4 left arrow 7.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Mushkin 991586 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 13.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.9 left arrow 10.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2156 left arrow 2757

Mushkin 991586 2GB RAMの比較

Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB

Team Group Inc. DDR4 2666 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
メモリRAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
メモリRAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
メモリRAM