Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB

総合得点

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

総合得点

G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

考慮すべき理由
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

2 16.9

テスト平均値

G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

29 92

周辺 -217% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

12.5 1,266.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 6400

周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

92 29
読み出し速度、GB/s

2,105.4 16.9
書き込み速度、GB/秒

1,266.1 12.5
メモリ帯域幅、mbps

6400 17000

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

339 3191

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB

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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB

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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

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Kingston 9905625-139.A00G 16GB

Kingston 9905320-021.A00LF 1GB

Kingston 9905320-021.A00LF 1GB

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