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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

総合得点
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Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB

Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB 考慮すべき理由
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 35
    周辺 -17% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.5 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.8 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 17.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 14.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2312 left arrow 3575

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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
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メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
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メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Kingston 9905678-027.A00G 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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