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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

総合得点
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SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 36
    周辺 3% 低遅延
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.3 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 13.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2312 left arrow 3136

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Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
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メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Kingston KY7N41-MIE 8GB
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メモリRAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
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Kingston 9905702-150.A00G 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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