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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

総合得点
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 39
    周辺 -39% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.5 left arrow 14.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    14.7 left arrow 17.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.2 left arrow 15.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2322 left arrow 3673

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAMの比較

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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
メモリRAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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