Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB

総合得点

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

総合得点

G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

4 17.7

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

2,123.3 13.4

テスト平均値

G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

31 59

周辺 -90% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 6400

周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

59 31
読み出し速度、GB/s

4,833.8 17.7
書き込み速度、GB/秒

2,123.3 13.4
メモリ帯域幅、mbps

6400 17000

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

731 3313

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB

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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

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Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB

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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

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Kingston 9905678-138.A00G 8GB

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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB

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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

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Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

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