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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

総合得点
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

総合得点
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InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 13.1
    テスト平均値
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    42 left arrow 58
    周辺 -38% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.5 left arrow 1,950.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    58 left arrow 42
  • 読み出し速度、GB/s
    4,241.0 left arrow 13.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,950.7 left arrow 11.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    651 left arrow 2525

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G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
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Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
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Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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