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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

総合得点
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
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Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 70
    周辺 60% 低遅延
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB 考慮すべき理由
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.8 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 8500
    周辺 2.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 70
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 8.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 1971

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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Maxsun MSD48G26Q3 8GB
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
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メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
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G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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