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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB

総合得点
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

総合得点
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A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 14.5
    テスト平均値
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 56
    周辺 -70% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 1,813.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    56 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    4,387.7 left arrow 14.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,813.5 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    693 left arrow 2383

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Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
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メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
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メモリRAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
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Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
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