RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB 考慮すべき理由
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    52 left arrow 94
    周辺 45% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9.7 left arrow 5.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.2 left arrow 4.9
    テスト平均値
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 14900
    周辺 1.14 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 94
  • 読み出し速度、GB/s
    9.7 left arrow 5.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 4.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2173 left arrow 1334

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAMの比較

Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB

Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
メモリRAM
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
メモリRAM