RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 17.1
    テスト平均値
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB 考慮すべき理由
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 69
    周辺 -200% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 1,441.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    3,325.1 left arrow 17.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,441.2 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    525 left arrow 2960

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
メモリRAM
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
メモリRAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
メモリRAM