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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

総合得点
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Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB

Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 37
    周辺 41% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.7 left arrow 16.8
    テスト平均値
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 12.7
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    22 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    17.7 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.7 left arrow 13.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3075 left arrow 2990

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Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
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メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Kingston KF560C40-16 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
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Kingston 9905712-010.A00G 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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