Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

総合得点

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

総合得点

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

22 57

周辺 61% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17.7 9.4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.7 7.6

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 19200

周辺 1.11% 高帯域

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

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仕様

技術仕様の完全リスト

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

22 57
読み出し速度、GB/s

17.7 9.4
書き込み速度、GB/秒

12.7 7.6
メモリ帯域幅、mbps

21300 19200

Other

商品説明

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

3075 2170

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB

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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB

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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

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Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

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