RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 38
    周辺 -31% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.3 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.0 left arrow 6.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 19.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.6 left arrow 16.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1406 left arrow 3687

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAMの比較

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
メモリRAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
メモリRAM