RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1654
3158
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link