RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
94
Wokół strony -348% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
21
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3437
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link