RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
4.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
4.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1560
2336
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link