RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB vs Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
14.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2104
2415
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link