RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
18.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,343.1
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
49
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
21
Prędkość odczytu, GB/s
5,135.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,343.1
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
843
3380
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link